CR형 포노앰프 TCR SE2
그동안 제작되고 있던 TCR SE가 SE2 버전으로 업그레이드되었습니다.
정전류 회로를 업그레이드하고 증폭부 회로를 다듬어 더욱 유연한 음으로 다듬었습니다.
TCR을 처음 출시한 것이 2009년 2월이니 벌써 12년이 지났습니다.
하나의 모델이 10년 이상 꾸준히 제작되고 있다면 분명히 그 이유가 있을 것입니다.
TCR은 다퍼런셜 출력이라는 독특한 회로 구성과 함께 CR형 방식을 사용한 포노앰프로 국내 마니아로부터 음질을 인정받고 있습니다.
종단의 독특한 출력 회로 덕분에 논 클리핑 출력 53V를 실현하였고 이로 인해 모든 악기가 포효하는 총주에서도 음상이 무너지는 일이 없습니다.
취향에 따라 반도체 앰프를 쓰기도 하고 진공관 앰프를 쓰기도 하지만,
음질을 위해서라면 포노앰프만큼은 반드시 진공관 포노앰프를 사용하는 것이 좋습니다.
그 이유는 진공관 포노앰프들이 대부분 논 클리핑 출력 전압이 높아 그렇습니다.
오디오 시스템 중 포노앰프의 이득(Gain)이 가장 높습니다.
그런 데다 입력에 볼륨도 없습니다.
논 클리핑 출력 전압이 중요한 이유입니다.
논 클리핑 전압이 높을수록 허용입력 전압이 높아져 그렇습니다.
허용전압이란..!
증폭기에서 클리핑 현상이 발생하지 않는 범위에서 입력할 수 있는 최대 전압이기 때문입니다.
어떤 원리로 그렇게 되는지 알아봅니다.
허용입력= 논 클리핑 최대 출력 전압/ 증폭기의 이득이기 때문입니다.
예를 들어
TCR의 논 클리핑 최대 출력전압이 53V이고 이득(Gain)이 170배이면
53/170= 0.3117
즉, TCR의 입력에 3,117mV 이상이 입력되면 파형이 클리핑 되기 시작하게 되는 것입니다.
MM 카트리지의 출력 전압이 통상 5mV인 것을 고려하면 충분히 여유 있는 허용입력 전압인 것을 알 수 있습니다.
그런데 카트리지에서 출력되는 전압은
반드시 1kHz를 기준으로 합니다.
왜냐하면,
주파수가 높아질수록 출력 전압이 높아지기 때문입니다.
RIAA 규정을 보면 1kHz를 기준으로 20kHz에서는 10배 증가하도록 되어 있습니다.
그렇다면 5mV의 카트리지에서 출력되는 최대 전압은 20kHz에서는 50mV가 되는 것입니다.
한 가지 더 고려해야 할 사항이 있습니다.
모든 카트리지는 정도의 차이가 있지만, 고음 대역에서 부스트 현상이 존재한다는 것입니다.
이것까지 고려해야 합니다.
이런 내용 모두를 고려해 본다면 MM 카트리지에서 출력되는 전압의 100배 이상의 여유있는 허용 입력을 가질 필요가 있는 것입니다.
즉, 입력에 볼륨이 없더라도 절대로 포노앰프 내부에서 파형 클리핑 현상이 발생하지 않으려면 500mV 이상의 허용 입력을 가진 포노앰프가 필요한데,
TCR에서는 그것의 6배 이상의 허용 입력 전압의 여유를 가졌기에 어떠한 경우에도 과입력으로 인한 파형 클리핑 현상이 발생하지 않는 것입니다.
. MM 카트리지를 예로 들었지만,
MC 카트리지도 승압 트랜스를 거쳐 MM 카트리지 수준으로 레벨 업 하므로 같은 내용이 됩니다.
증폭기에서 파형 클리핑이 발생한다면 즉시 음이 탁하게 느껴지므로 논 클리핑 출력 전압이 중요한 것인데,
오디오 증폭기의 가장 앞에 위치하는 포노앰프이기에 더욱 중요해지는 것입니다.
그런데, 위의 공식을 보면,
허용입력 전압을 높이기 위해서는 증폭기의 논 클리핑 출력 전압을 높여도 되지만, 증폭기의 이득을 줄여도 됩니다.
그러나 다른 소스 기기와의 출력 레벨을 고려해야 하기에
마음대로 줄일 수 없습니다.
이것이 포노앰프의 이득은 통상 150배에서 200배 사이가 되는 이유입니다.
반도체 포노앰프의 논 클리핑 출력전압은
동작 전압이 낮다 보니 근본적으로 논 클리핑 최대 출력 전압이 낮을 수밖에 없습니다.
요즘에는 OP AMP를 주로 사용하기에 논 클리핑 최대 출력전압이 9.2V입니다.
위의 공식으로 똑같이 계산해 보면,
9.2/200= 0.046
즉, 46mV가 되어 여유분이 전혀 없습니다.
이런 이유로 반도체 포노앰프는 수시로 파형 클리핑 현상이 발생할 것입니다.
이런 상황을 조금이라도 극복하고자 반도체 포노앰프는 대부분 이득을 조금 낮게 설정합니다.
그래도 음이 탁해지는 근본적인 원인을 제거할 수 없으므로 반도체 앰프로 시스템을 구축하였다고 하여도 포노앰프 만큼은 진공관 포노앰프를 사용하는 것이 좋다고 권유하는 것입니다.
TCR SE2의 내부입니다.
부품의 리드가 러그 단자에 직접 납땜되는 하드와이어링으로 배선하여 잔류노이즈를 크게 줄였으며 이로 인해 진공관 포노앰프이지만,
반도체 포노앰프에 버금가는 높은 S/N 비를 실현하였습니다.
진공관 포노앰프라도 부귀환을 많이 적용하면 S/N 비가 좋아지지만,
TCR의 높은 S/N 비는 부귀환을 전혀 사용하지 않고 이룩한 결과입니다.
이를 위해 B+ 전원부는 매우 엄중하게 설계하였는데
MOS FET로 제어되는 리플필터를 채용하여 배터리에 버금가는 순도 높은 전원 전압을 공급하고 있으며,
소신호용 증폭관 12AY7과 출력관 ECC99의 히터 전압도 리니어 정전압 전원으로 공급하여 S/N 비를 높이고 있습니다.
무귀환으로 회로를 구성하면 진공관 고유의 고조파가 줄어지지 않아 배음이 풍성하고 지극히 진공관다운 음색으로 되지만,
부귀환이 하던 모든 개선 내용들을 회로와 실장 기술을 통해 극복해야 하기에 누구나 그렇게 할 수 없습니다.
수입되는 양산형 진공관 앰프에서 무귀환 방식의 앰프가 없는 이유입니다.
. TCR SE 2의 전기적 제원입니다.
형식: 트랜스 드라이브 방식의 CR형 RIAA포노앰프
1. 증폭도(1kHz 기준): 170배
2. 논 클립 출력전압: 53V
3. 입력 임피던스: 47k
4. 입력: 언밸런스 3 계통(옵션 선택 시 승압 트랜스 내장됨)
5. 출력 형식: 밸런스 1 계통, 언밸런스 1 계통,
6. 사용 진공관: 전압 증폭관 12AY7 × 2, 출력관 ECC 99 × 2, 정류관 6CA4 × 1
7. 크기: W440 × D350 × H138
8. 무게: 13.5kg
TCR SE2의 하판입니다.
미세한 진동도 흡수할 수 있는 받침대를 사용하고 있습니다.
45mm 통 알루미늄을 절삭 가공하고 실리콘 고무를 덧대어 완성한 받침대는 외형적으로 고급스럽고 물리적으로 튼튼하여 별도의 받침대를 사용할 필요가 전혀 없습니다.
TCR SE2의 후면입니다.
3계통의 RCA 입력 단자가 있으며 승압 트랜스를 내장하실 수도 있습니다.
옵션이라 선택사항인데, 이번에는 승압 트랜스를 내장하지 않았습니다.
오늘은 허용입력 전압에 대하여 말씀 올렸습니다.
포노앰프의 중요 항목 중 하나인 논 클리핑 최대 출력 전압에 대하여 이해하시는 계기가 되었기를 기대합니다.
TCR의 음질은 유연하며 진공관의 배음이 물씬 풍기는 음색입니다.
CR형 특유의 높은 해상도와 그러면서도 무귀환 증폭기로서 링깅현상이 발생하지 않아 음이 날카로워지는 일이 없습니다.
고음으로 한없이 올라가지만, 쏘는 음으로 되지 않는 이론적 이유입니다.
오늘 소개하는 TCR SE2는 박** 선생님의 TCR SE2입니다.
수일 전에 완성하였으나 사진 찍는 과정에서 레터링이 잘못되어 있는 것을 발견하였습니다.
포노앰프인데, 프리앰프라는 문구로 조각되어 전면판을 다시 조각하느라 소개하는 것이 늦어졌습니다.
그동안 에이징을 겸한 히어링 테스트는 충분히 진행하였으므로 즉시 납품이 가능합니다.
고맙습니다.